Littelfuse具备普遍的清晰产物系列、具备相助力的低压产物功能以及先进的技术
，在低压（HV）分立Si MOSFET市场具备向导位置，分立特意是清晰在1700V以上产物，搜罗电压阻断能耐高达4700V的低压器件，可能反对于客户开拓需要严苛的分立运用。

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Littelfuse具备普遍的清晰产物系列、具备相助力的低压产物功能以及先进的技术 ，在低压（HV）分立Si MOSFET市场具备向导位置，分立特意是清晰在1700V以上产物  ，搜罗电压阻断能耐高达4700V的低压器件，可能反对于客户开拓需要严苛的分立运用。

Littelfuse提供普遍的清晰分立HV硅(Si) MOSFET产物系列，具备较低的低压斲丧、更好的分立雪崩特色以及高坚贞性 ，用于日益紧张的分立功率半导体器件 。本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。

Littelfuse分立HV Si MOSFET产物系列

HV MOSFET器件是激光以及X射线爆发零星 、HV电源、脉冲电源等运用的最佳处置妄想 ，特意适宜中压机电驱动、光伏（PV）逆变器 、低压柔性直流输电(HVDC)、机车牵引以及不不断电源（UPS）中的辅助电源  。

Littelfuse配合且普遍的分立HV硅MOSFET产物系列可能接受高雪崩能量，从2000V至4700V ，特意妄想用于需要极高阻断电压的快捷开关电源运用。这些n沟道分立HV MOSFET可能接管尺度封装以及配合封装供货，格外电流规模从200 mA到6 A ，功率耗散能耐规模从78W到960 W  。

比力运用串联低压(LV) MOSFET妄想，运用Littelfuse低压分立Si MOSFET在实施HV妄想方面具备多项主要优势，如图1所示。

图1 ：与低压MOSFET比照，运用Littelfuse的HV Si MOSFET构建HV妄想的主要优势

由于HV分立Si MOSFET的导通电阻具备正温度系数，因此适用于并联。与接管串联的低电压MOSFET措施比照 ，这些HV分立器件提供了高坚贞以及更佳的老本处置妄想。

封装——配合的HV封装以及专有绝缘封装

在高电压以及高功率运用中  ，功率器件的散热至关紧张，而器件封装会极大地影响功率器件的热功能。Littelfuse提供配合HV封装以及专有绝缘封装，具备多种优势。IXYS-Littelfuse开拓的配合HV封装以及专有ISOPLUS™封装能处置HV运用中的绝缘以及热规画等关键下场
。

图2 ：Littelfuse HV封装与尺度封装之间的差距。

Littelfuse的≥2 kV低压分立Si MOSFET接管的配合HV封装 ，好比：

- 用于概况贴装器件（SMD）的TO-263HV以及TO-268HV封装 ，以及

- 用于通孔技术（THT）PCB的TO-247HV以及PLUS247HV封装

Littelfuse HV封装具备的一项紧张优势，便是更长的爬电距离 。在TO-263HV以及TO-268HV封装中去除了中间的漏极引脚 ，在TO-247HV封装中增大了漏极以及源极引脚之间的距离 ，从而削减了爬电距离。与尺度封装比照 ，TO-263HV以及TO-268HV引线到引线爬电距离约莫削减了一倍，分说抵达4.2 妹妹以及9.5 妹妹
，这有助于客户在HV运用中削减可能泛起的电弧情景。

电气绝缘是HV运用中的另一个关键 。 Littelfuse专有绝缘分立ISOPLUS™封装是实现HV妄想的绝佳抉择。如图3所示  ，妄想接管DCB妄想 ，而不是个别的铜引线框架 ，Si晶圆焊接不才面 。

图3：Littelfuse绝缘分立封装横截面展现DCB基底

与带有外部绝缘片的非绝缘封装比照，Littelfuse绝缘式封装结点至散热片道路的部份热阻RthJH较低 ，从而改善了热功能 。此外，这些绝缘式封装中芯片以及散热器之间的耦合电容较低
，有助于改善EMI 。DCB用于散热 ，且具备较高的电气绝缘能耐
，在2500 VRMS下不断光阴长达60秒，能在最终装置中省去外部散热片以及附加绝缘装置步骤，从而节约老本 。

ISOPLUS i4-PAC™以及ISOPLUS i5-PAC™ (ISOPLUS264™)封装中的HV分立Si MOSFET展现具备上述优异特色。Littelfuse HV分立Si MOSFET提供尺度封装、HV封装以及专有绝缘封装 。

图4：Littelfuse为HV分立Si MOSFET提供尺度封装 、HV封装以及专有绝缘封装

运用

Littelfuse公司HV分立Si MOSFET适宜HVDC低压柔性直流输电
、电动汽车（EV）充电器、太阳能逆变器 、中压驱动器、UPS以及HV电池运用中之HV AUX电源。

辅助（AUX）电源的输入艰深为电源转换器的HV直流母线电压
。HV反激式电路的固有要求是具备极高阻断电压品级的功率器件 ，以接受来自变压器次边的反射电压。

图5 a）HV辅助电源是较大零星的子零星，为栅极驱动单元、丈量以及监测零星以及其余清静关键功能供电
，个别情景下需要小于100W的输入功率以及5至48V输入电压。因此，图5 b)所示的反激式电路较普遍运用。

图5 ：a）带有辅助电源之逆变器简图 b）个别用于HV AUX电源的反激式拓扑

Littelfuse HV 分立Si MOSFET的另一个运用是脉冲电源 。脉冲电源用于差距的运用中 ，好比医疗诊断以及病患治疗的基于超声波诊断成像、高能量密度等离子体爆发器 、强电子束辐射 、大功率微波、医疗配置装备部署 、食物巴氏杀菌 、水处置以及臭氧天生等等。

脉冲电源搜罗在多少分之一秒内快捷释放贮存的能量 。图6 b) 的简图是脉冲电源运用示例，这些脉冲电源运用运用HV MOSFET在短期内将能量从HV DC输入电容转移到负载 。

图6 ：a) 脉冲电源运用简图 b) 脉冲电源运用示例——发生超声波

(作者 ：Littelfuse产物工程师Sachin Shridhar Paradkar、产物司理Raymon Zhou以及产物总监José Padilla)