Littelfuse具备普遍的清晰产物系列 、具备相助力的低压产物功能以及先进的技术，在低压（HV）分立Si MOSFET市场具备向导位置 ，分立特意是清晰在1700V以上产物，搜罗电压阻断能耐高达4700V的低压器件，可能反对于客户开拓需要严苛的分立运用 。
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Littelfuse具备普遍的清晰产物系列、具备相助力的低压产物功能以及先进的技术，在低压（HV）分立Si MOSFET市场具备向导位置 ，分立特意是清晰在1700V以上产物 ，搜罗电压阻断能耐高达4700V的低压器件，可能反对于客户开拓需要严苛的分立运用。
Littelfuse提供普遍的清晰分立HV硅(Si) MOSFET产物系列 ，具备较低的低压斲丧 、更好的分立雪崩特色以及高坚贞性，用于日益紧张的分立功率半导体器件。本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
Littelfuse分立HV Si MOSFET产物系列
HV MOSFET器件是激光以及X射线爆发零星 、HV电源、脉冲电源等运用的最佳处置妄想 ，特意适宜中压机电驱动 、光伏（PV）逆变器 、低压柔性直流输电(HVDC) 、机车牵引以及不不断电源（UPS）中的辅助电源 。
Littelfuse配合且普遍的分立HV硅MOSFET产物系列可能接受高雪崩能量 ，从2000V至4700V，特意妄想用于需要极高阻断电压的快捷开关电源运用 。这些n沟道分立HV MOSFET可能接管尺度封装以及配合封装供货，格外电流规模从200 mA到6 A ，功率耗散能耐规模从78W到960 W 。
比力运用串联低压(LV) MOSFET妄想 ，运用Littelfuse低压分立Si MOSFET在实施HV妄想方面具备多项主要优势 ，如图1所示 。
图1
：与低压MOSFET比照 ，运用Littelfuse的HV Si MOSFET构建HV妄想的主要优势由于HV分立Si MOSFET的导通电阻具备正温度系数 ，因此适用于并联。与接管串联的低电压MOSFET措施比照，这些HV分立器件提供了高坚贞以及更佳的老本处置妄想 。
封装——配合的HV封装以及专有绝缘封装
在高电压以及高功率运用中，功率器件的散热至关紧张 ，而器件封装会极大地影响功率器件的热功能 。Littelfuse提供配合HV封装以及专有绝缘封装 ，具备多种优势。IXYS-Littelfuse开拓的配合HV封装以及专有ISOPLUS™封装能处置HV运用中的绝缘以及热规画等关键下场 。
图2
：Littelfuse HV封装与尺度封装之间的差距。Littelfuse的≥2 kV低压分立Si MOSFET接管的配合HV封装 ，好比：
- 用于概况贴装器件（SMD）的TO-263HV以及TO-268HV封装，以及
- 用于通孔技术（THT）PCB的TO-247HV以及PLUS247HV封装
Littelfuse HV封装具备的一项紧张优势 ，便是更长的爬电距离 。在TO-263HV以及TO-268HV封装中去除了中间的漏极引脚，在TO-247HV封装中增大了漏极以及源极引脚之间的距离，从而削减了爬电距离。与尺度封装比照，TO-263HV以及TO-268HV引线到引线爬电距离约莫削减了一倍 ，分说抵达4.2 妹妹以及9.5 妹妹 ，这有助于客户在HV运用中削减可能泛起的电弧情景 。
电气绝缘是HV运用中的另一个关键 。 Littelfuse专有绝缘分立ISOPLUS™封装是实现HV妄想的绝佳抉择 。如图3所示 ，妄想接管DCB妄想 ，而不是个别的铜引线框架 ，Si晶圆焊接不才面 。
图3：Littelfuse绝缘分立封装横截面展现DCB基底与带有外部绝缘片的非绝缘封装比照 ，Littelfuse绝缘式封装结点至散热片道路的部份热阻RthJH较低 ，从而改善了热功能。此外，这些绝缘式封装中芯片以及散热器之间的耦合电容较低 ，有助于改善EMI 。DCB用于散热，且具备较高的电气绝缘能耐，在2500 VRMS下不断光阴长达60秒 ，能在最终装置中省去外部散热片以及附加绝缘装置步骤 ，从而节约老本 。
ISOPLUS i4-PAC™以及ISOPLUS i5-PAC™ (ISOPLUS264™)封装中的HV分立Si MOSFET展现具备上述优异特色。Littelfuse HV分立Si MOSFET提供尺度封装 、HV封装以及专有绝缘封装 。
图4 ：Littelfuse为HV分立Si MOSFET提供尺度封装 、HV封装以及专有绝缘封装运用
Littelfuse公司HV分立Si MOSFET适宜HVDC低压柔性直流输电 、电动汽车（EV）充电器 、太阳能逆变器 、中压驱动器 、UPS以及HV电池运用中之HV AUX电源 。
辅助（AUX）电源的输入艰深为电源转换器的HV直流母线电压 。HV反激式电路的固有要求是具备极高阻断电压品级的功率器件，以接受来自变压器次边的反射电压 。
图5 a）HV辅助电源是较大零星的子零星 ，为栅极驱动单元 、丈量以及监测零星以及其余清静关键功能供电 ，个别情景下需要小于100W的输入功率以及5至48V输入电压 。因此 ，图5 b)所示的反激式电路较普遍运用 。
图5
：a）带有辅助电源之逆变器简图 b）个别用于HV AUX电源的反激式拓扑Littelfuse HV 分立Si MOSFET的另一个运用是脉冲电源 。脉冲电源用于差距的运用中，好比医疗诊断以及病患治疗的基于超声波诊断成像 、高能量密度等离子体爆发器 、强电子束辐射 、大功率微波 、医疗配置装备部署 、食物巴氏杀菌 、水处置以及臭氧天生等等 。
脉冲电源搜罗在多少分之一秒内快捷释放贮存的能量 。图6 b) 的简图是脉冲电源运用示例 ，这些脉冲电源运用运用HV MOSFET在短期内将能量从HV DC输入电容转移到负载。
图6 ：a) 脉冲电源运用简图 b) 脉冲电源运用示例——发生超声波(作者 ：Littelfuse产物工程师Sachin Shridhar Paradkar 、产物司理Raymon Zhou以及产物总监José Padilla)